第485期 | 攻克 500℃高温栅网变形难题：国产离子源稳定性提升 30%！

02:04 芯片制造中的重要角色：离子源、离子束与IBS系统的科普揭秘 04:05 离子束技术：先进制程中的关键环节和发展趋势 06:05 离子束技术的发展趋势及应用前景：挑战与机遇 08:06 分析离子元在薄膜沉积类设备中的重要性及潜在市场。 10:07 稳定性与效率的双重突破：国产替代进口设备的成功案例分析 12:09 稳定性要求高的三网系统：材料选择与创新设计 14:09 磁性材料刻蚀技术的挑战与突破：物理刻蚀与化学刻蚀的结合应用 16:09 离子束设备研发与工艺制程：国产设备行业的发展现状与挑战 18:11 突破国产化材料难题：与国内材料供应商合作共同研发 20:11 聚焦两大痛点，国产化产品实现与国外水平接近的目标

离子源技术是半导体制造的核心工艺环节，直接影响芯片性能与良率，决定着芯片的性能上限，其精度直接影响芯片良率。根据SEMI 2024报告推测，在3nm以下节点，甚至70%的工艺步骤都要依赖离子注入。作为离子束刻蚀和沉积设备的核心部件，离子源的稳定性和精度是制造高端芯片和器件的关键。长期以来，这项技术被美国 Veeco 等企业垄断，是制约我国半导体产业发展的 "卡脖子" 环节。本期大咖谈芯我们邀请到曾在Veeco工作的工程师张海飞做客，一起揭秘这个关系到芯片自主可控，更影响着人工智能、量子计算等未来科技的发展进程的离子源技术。

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